Indium Antimonide InSb

Περιγραφή

Indium Antimonide InSb, ένας ημιαγωγός της ομάδας III–V κρυσταλλικών ενώσεων με δομή πλέγματος μίγματος ψευδαργύρου, συντίθεται από 6Ν 7Ν υψηλής καθαρότητας στοιχεία ινδίου και αντιμονίου και αναπτύσσεται μονοκρύσταλλος με τη μέθοδο VGF ή τη μέθοδο Liquid Encapsulated Czochralski LEC από ραφιναρισμένη πολυκρυσταλλική εσοχή πολλαπλών ζωνών το οποίο μπορεί να τεμαχιστεί και να κατασκευαστεί σε γκοφρέτα και να μπλοκάρει στη συνέχεια.Το InSb είναι ένας ημιαγωγός άμεσης μετάβασης με στενό διάκενο ζώνης 0,17eV σε θερμοκρασία δωματίου, υψηλή ευαισθησία σε μήκος κύματος 1–5μm και εξαιρετικά υψηλή κινητικότητα χωλ.Indium Antimonide InSb τύπου n, p-type και ημιμονωτική αγωγιμότητα στην Western Minmetals (SC) Corporation μπορεί να προσφερθεί σε μέγεθος 1″ 2″ 3″ και 4” (30mm, 50mm, 75mm, 100mm) διάμετρος, προσανατολισμός < 111> ή <100>, και με φινίρισμα επιφάνειας γκοφρέτας όπως κομμένο, περιτυλιγμένο, χαραγμένο και γυαλισμένο.Διατίθεται επίσης ο στόχος Indium Antimonide InSb Dia.50-80mm με μη-ντοπαρισμένο n-type.Εν τω μεταξύ, το πολυκρυσταλλικό αντιμονίδιο του ινδίου InSb (πολυκρυσταλλικό InSb) με μέγεθος ακανόνιστου σβώλου ή κενή (15-40) x (40-80) mm και στρογγυλή ράβδο D30-80 mm προσαρμόζονται επίσης κατόπιν αιτήματος στην τέλεια λύση.

Εφαρμογή

Το Indium Antimonide InSb είναι ένα ιδανικό υπόστρωμα για την παραγωγή πολλών εξαρτημάτων και συσκευών τελευταίας τεχνολογίας, όπως προηγμένη λύση θερμικής απεικόνισης, σύστημα FLIR, στοιχείο χωλ και στοιχείο εφέ μαγνητοαντίστασης, σύστημα καθοδήγησης πυραύλων υποδοχής υπερύθρων, αισθητήρας υπέρυθρου φωτοανιχνευτή υψηλής απόκρισης , υψηλής ακρίβειας μαγνητικός και περιστροφικός αισθητήρας αντίστασης, εστιακές επίπεδες συστοιχίες, και επίσης προσαρμοσμένος ως πηγή ακτινοβολίας terahertz και σε υπέρυθρο αστρονομικό διαστημικό τηλεσκόπιο κ.λπ.

Έρευνα τώρα

Λεπτομέριες

Ετικέτες

Τεχνικές προδιαγραφές

Αντιμονιούχο ίνδιο

InSb

Υπόστρωμα αντιμονιδίου ινδίου(Υπόστρωμα InSb, Γκοφρέτα InSb) Ο τύπος n ή ο τύπος p στη Western Minmetals (SC) Corporation μπορεί να προσφερθεί σε μέγεθος 1" 2" 3" και 4" (30, 50, 75 και 100 χιλιοστά) διαμέτρου, προσανατολισμού <111> ή <100> και με επιφάνεια γκοφρέτας από περιτυλιγμένα, χαραγμένα, γυαλισμένα φινιρίσματα.Μπορείτε επίσης να προμηθευτείτε μπάρα μονοκρυστάλλου αντιμονιδίου ινδίου (InSb Monocrystal bar) κατόπιν αιτήματος.

Αντιμονιούχο ίνδιοPΤα ολυκρυσταλλικά (InSb Polycrystalline ή πολυκρυσταλλικά InSb) με μέγεθος ακανόνιστου σβώλου ή κενό (15-40)x(40-80)mm προσαρμόζονται επίσης κατόπιν αιτήματος στην τέλεια λύση.

Εν τω μεταξύ, διατίθεται και το Indium Antimonide Target (InSb Target) Dia.50-80mm με μη ντοπαρισμένο n-type.

Οχι.	Είδη	Τυπική προδιαγραφή
1	Υπόστρωμα αντιμονιδίου ινδίου	2"	3"	4"
2	Διάμετρος mm	50,5±0,5	76,2±0,5	100±0,5
3	Μέθοδος Ανάπτυξης	LEC	LEC	LEC
4	Αγώγιμο	P-type/Zn,Ge doped, N-type/Te-doped, Un-doped
5	Προσανατολισμός	(100)±0,5°, (111)±0,5°
6	Πάχος μm	500±25	600±25	800±25
7	Προσανατολισμός Επίπεδο mm	16±2	22±1	32,5±1
8	Αναγνώριση Επίπεδη mm	8±1	11±1	18±1
9	Κινητικότητα cm2/Vs	1-7E5 N/un-doped, 3E5-2E4 N/Te-doped, 8-0,6E3 ή ≤8E13 P/Ge-doped
10	Συγκέντρωση φορέα cm-3	6E13-3E14 N/μη ναρκωμένο, 3E14-2E18 N/Te-ντοπαρισμένο, 1E14-9E17 ή <1E14 P/Ge-ντοπαρισμένο
11	TTV μm μέγ	15	15	15
12	Πλώρη μm μέγ	15	15	15
13	Στημόνι μm μέγ	20	20	20
14	Πυκνότητα εξάρθρωσης cm-2 μέγ	50	50	50
15	Φινίρισμα επιφάνειας	P/E, P/P	P/E, P/P	P/E, P/P
16	Συσκευασία	Μονό δοχείο γκοφρέτας σφραγισμένο σε σακούλα αλουμινίου.

Οχι.	Είδη	Τυπική προδιαγραφή
Οχι.	Είδη	Indium Antimonide Polycrystalline	Στόχος αντιμονιδίου ινδίου
1	Αγώγιμο	Ανεκμετάλλευτη	Ανεκμετάλλευτη
2	Συγκέντρωση φορέα εκ^-3	6E13-3E14	1.9-2.1E16
3	Κινητικότητα cm²/Vs	5-7Ε5	6,9-7,9Ε4
4	Μέγεθος	15-40x40-80 mm	D(50-80) mm
5	Συσκευασία	Σε σύνθετη σακούλα αλουμινίου, χάρτινο κουτί εξωτερικά

Γραμμικός τύπος	InSb
Μοριακό βάρος	236,58
Κρυσταλλική δομή	Μίγμα ψευδαργύρου
Εμφάνιση	Σκούρο γκρι μεταλλικοί κρύσταλλοι
Σημείο τήξης	527 °C
Σημείο βρασμού	N/A
Πυκνότητα στα 300Κ	5,78 g/cm³
Ενεργειακό Κενό	0,17 eV
Εγγενής αντίσταση	4Ε(-3) Ω-εκ
Αριθμός CAS	1312-41-0
Αριθμός ΕΚ	215-192-3

Indium Antimonide InSbΗ γκοφρέτα είναι ένα ιδανικό υπόστρωμα για την παραγωγή πολλών εξαρτημάτων και συσκευών τελευταίας τεχνολογίας, όπως προηγμένη λύση θερμικής απεικόνισης, σύστημα FLIR, στοιχείο χωλ και στοιχείο εφέ μαγνητοαντίστασης, σύστημα καθοδήγησης πυραύλων υποδοχής υπερύθρων, αισθητήρας υπέρυθρου φωτοανιχνευτή υψηλής απόκρισης, υψηλή -Αισθητήρας μαγνητικής και περιστροφικής αντίστασης ακριβείας, εστιακές επίπεδες συστοιχίες, και επίσης προσαρμοσμένος ως πηγή ακτινοβολίας terahertz και σε υπέρυθρο αστρονομικό διαστημικό τηλεσκόπιο κ.λπ.