Αρσενίδιο του Γάλλιου GaAs

Περιγραφή

Αρσενίδιο του ΓάλλιουGaAs είναι ένα Ημιαγωγός ένωσης άμεσου διάκενου ζώνης της ομάδας III-V που συντίθεται από τουλάχιστον 6Ν 7Ν υψηλής καθαρότητας γάλλιο και αρσενικό στοιχείο και αναπτύσσεται κρύσταλλος με διαδικασία VGF ή LEC από υψηλής καθαρότητας πολυκρυσταλλικό αρσενίδιο του γαλλίου, εμφάνιση γκρίζου χρώματος, κυβικοί κρύσταλλοι με δομή μίγματος ψευδαργύρου.Με το ντόπινγκ άνθρακα, πυριτίου, τελλουρίου ή ψευδαργύρου για να ληφθεί αγωγιμότητα τύπου n ή τύπου p και ημιμονωτικής αγωγιμότητας αντίστοιχα, ένας κυλινδρικός κρύσταλλος InAs μπορεί να τεμαχιστεί και να κατασκευαστεί σε κενό και γκοφρέτα σε κομμένο, χαραγμένο, γυαλισμένο ή epi -έτοιμο για επιταξιακή ανάπτυξη MBE ή MOCVD.Η γκοφρέτα αρσενιδίου του γαλλίου χρησιμοποιείται κυρίως για την κατασκευή ηλεκτρονικών συσκευών όπως διόδους εκπομπής υπέρυθρου φωτός, διόδους λέιζερ, οπτικών παραθύρων, τρανζίστορ πεδίων FET, γραμμικών ψηφιακών IC και ηλιακών κυψελών.Τα στοιχεία GaAs είναι χρήσιμα σε εφαρμογές εξαιρετικά υψηλών ραδιοσυχνοτήτων και γρήγορης ηλεκτρονικής μεταγωγής, σε εφαρμογές ενίσχυσης ασθενούς σήματος.Επιπλέον, το υπόστρωμα αρσενιδίου του γαλλίου είναι ένα ιδανικό υλικό για την κατασκευή εξαρτημάτων RF, συχνότητας μικροκυμάτων και μονολιθικών IC, και συσκευών LED σε οπτικές επικοινωνίες και συστήματα ελέγχου για την κινητικότητα του κορεσμού στο χώρο, τη σταθερότητα υψηλής ισχύος και θερμοκρασίας.

Διανομή

Τα GaA Arsenide Gallium της Western Minmetals (SC) Corporation μπορούν να παραδοθούν ως πολυκρυσταλλική γκοφρέτα ή μονοκρυσταλλική γκοφρέτα σε κομμένες, χαραγμένες, γυαλισμένες ή έτοιμες γκοφρέτες σε μέγεθος 2” 3” 4” και 6” (50 mm, Διάμετρος 75mm, 100mm, 150mm), με αγωγιμότητα τύπου p, τύπου n ή ημιμονωτική και προσανατολισμό <111> ή <100>.Η προσαρμοσμένη προδιαγραφή είναι για την τέλεια λύση στους πελάτες μας σε όλο τον κόσμο.